| 型号： | SP8M4FU6TB | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| SP8M4FU6TB PDF |  |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A，7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |